DMP21D0UFB4-7B

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMP21D0UFB4-7B
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Livret des spécifications:	DMP21D0UFB4-7B.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	191059 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 191059 pcs

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Spécifications de DMP21D0UFB4-7B

Modèle de produit	DMP21D0UFB4-7B	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	191059 pcs	Fiche technique	DMP21D0UFB4-7B.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	X2-DFN1006-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	495 mOhm @ 400mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	430mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	3-XFDFN	Autres noms	DMP21D0UFB4-7BDIDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.54nC @ 8V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 770mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	770mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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