DMT31M6LPS-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMT31M6LPS-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506
Livret des spécifications:	DMT31M6LPS-13.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	171685 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 171685 pcs

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Spécifications de DMT31M6LPS-13

Modèle de produit	DMT31M6LPS-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	171685 pcs	Fiche technique	DMT31M6LPS-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerDI5060-8
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7019pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	123nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 35.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	35.8A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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