DMT6004SCT

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMT6004SCT
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Livret des spécifications:	DMT6004SCT.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	44070 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 44070 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.766

50 pcs: $0.616

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500 pcs: $0.432

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Spécifications de DMT6004SCT

Modèle de produit	DMT6004SCT	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	44070 pcs	Fiche technique	DMT6004SCT.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.65 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.3W (Ta), 113W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	DMT6004SCTDI-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4556pF @ 30V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	95.4nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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