Diodes Incorporated| Modèle de produit | HTMN5130SSD-13 | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 95127 pcs | Fiche technique | HTMN5130SSD-13.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| Puissance - Max | 1.7W | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Autres noms | HTMN5130SSD-13DI HTMN5130SSD-13DI-ND HTMN5130SSD-13DITR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 218.7pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 55V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.6A |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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