ZVN4206GVTA

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	ZVN4206GVTA
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Livret des spécifications:	ZVN4206GVTA.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	94578 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94578 pcs

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Spécifications de ZVN4206GVTA

Modèle de produit	ZVN4206GVTA	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 60V 1A SOT223	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	94578 pcs	Fiche technique	ZVN4206GVTA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Autres noms	ZVN4206GV ZVN4206GVCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	N-Channel 60V 1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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