ZVNL120A

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	ZVNL120A
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
Livret des spécifications:	ZVNL120A.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	103393 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 103393 pcs

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Spécifications de ZVNL120A

Modèle de produit	ZVNL120A	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	103393 pcs	Fiche technique	ZVNL120A.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 250mA, 5V
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	85pF @ 25V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	3V, 5V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 180mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	180mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
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