ZXMC6A09DN8TA

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	ZXMC6A09DN8TA
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Livret des spécifications:	ZXMC6A09DN8TA.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	45810 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45810 pcs

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Spécifications de ZXMC6A09DN8TA

Modèle de produit	ZXMC6A09DN8TA	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	45810 pcs	Fiche technique	ZXMC6A09DN8TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 8.2A, 10V
Puissance - Max	1.8W	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	ZXMC6A09DN8TADKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1407pF @ 40V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24.2nC @ 10V
type de FET	N and P-Channel	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.9A, 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.9A, 3.7A

Mode de transport
Après vente
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