ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	ZXMHN6A07T8TA
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Livret des spécifications:	ZXMHN6A07T8TA.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	15979 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15979 pcs

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Spécifications de ZXMHN6A07T8TA

Modèle de produit	ZXMHN6A07T8TA	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	15979 pcs	Fiche technique	ZXMHN6A07T8TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	SM8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
Puissance - Max	1.6W	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SOT-223-8	Autres noms	1034-ZXMHN6A07T8CT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	166pF @ 40V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 10V
type de FET	4 N-Channel (H-Bridge)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.4A

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Après vente
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