ZXMN10A11GTA

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	ZXMN10A11GTA
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Livret des spécifications:	ZXMN10A11GTA.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	283475 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 283475 pcs

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Spécifications de ZXMN10A11GTA

Modèle de produit	ZXMN10A11GTA	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	283475 pcs	Fiche technique	ZXMN10A11GTA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Autres noms	ZXMN10A11GTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	274pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.7A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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