ZXMN2B03E6TA

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	ZXMN2B03E6TA
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Livret des spécifications:	ZXMN2B03E6TA.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	282304 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 282304 pcs

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Spécifications de ZXMN2B03E6TA

Modèle de produit	ZXMN2B03E6TA	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	282304 pcs	Fiche technique	ZXMN2B03E6TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-23-6
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.1W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SOT-23-6	Autres noms	ZXMN2B03E6TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1160pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	N-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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