ZXMN3B04N8TA

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	ZXMN3B04N8TA
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Livret des spécifications:	ZXMN3B04N8TA.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	149562 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149562 pcs

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Spécifications de ZXMN3B04N8TA

Modèle de produit	ZXMN3B04N8TA	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	149562 pcs	Fiche technique	ZXMN3B04N8TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	ZXMN3B04N8TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2480pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	23.1nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7.2A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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