EPC2101

EPC

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EPC2101
Fabricant / marque:	EPC
Description du produit	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Livret des spécifications:	EPC2101.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	19673 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19673 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

500 pcs: $1.928

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Spécifications de EPC2101

Modèle de produit	EPC2101	Fabricant	EPC
La description	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	19673 pcs	Fiche technique	EPC2101.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA	Package composant fournisseur	Die
Séries	eGaN®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	Die	Autres noms	917-1181-2
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 30V, 1200pF @ 30V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Fonction FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9.5A, 38A

Mode de transport
Après vente
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