IRF830AL

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRF830AL
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
Livret des spécifications:	IRF830AL.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	3785 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3785 pcs

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Spécifications de IRF830AL

Modèle de produit	IRF830AL	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	3785 pcs	Fiche technique	IRF830AL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 74W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Autres noms	*IRF830AL
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	500V
Description détaillée	N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5A (Tc)

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Après vente
Livret des spécifications

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