IRFD010

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFD010
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Livret des spécifications:	IRFD010.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	5979 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5979 pcs

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Spécifications de IRFD010

Modèle de produit	IRFD010	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	5979 pcs	Fiche technique	IRFD010.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 860mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Autres noms	*IRFD010
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	50V
Description détaillée	N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.7A (Tc)

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Après vente
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