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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Modèle de produit | IRFD110 | Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| Quantité disponible | 2771 pcs | Fiche technique | IRFD110.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Autres noms | *IRFD110 IRFD111 IRFD112 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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