IRFD210PBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFD210PBF
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Livret des spécifications:	IRFD210PBF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	91700 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 91700 pcs

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Spécifications de IRFD210PBF

Modèle de produit	IRFD210PBF	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	91700 pcs	Fiche technique	IRFD210PBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 360mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)	Emballage	Tube
Package / Boîte	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Autres noms	*IRFD210PBF
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	600mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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