IRLD120

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRLD120
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Livret des spécifications:	IRLD120.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	2929 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2929 pcs

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Spécifications de IRLD120

Modèle de produit	IRLD120	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	2929 pcs	Fiche technique	IRLD120.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 780mA, 5V
Dissipation de puissance (max)	1.3W (Ta)	Emballage	Tube
Package / Boîte	4-DIP (0.300", 7.62mm)	Autres noms	*IRLD120
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 5V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.3A (Ta)

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Après vente
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