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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Modèle de produit | SI2337DS-T1-GE3 | Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 188250 pcs | Fiche technique | SI2337DS-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Autres noms | SI2337DS-T1-GE3-ND SI2337DS-T1-GE3TR SI2337DST1GE3 |
| Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 40V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.2A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
