SI2392ADS-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI2392ADS-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Livret des spécifications:	SI2392ADS-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	440971 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 440971 pcs

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Spécifications de SI2392ADS-T1-GE3

Modèle de produit	SI2392ADS-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	440971 pcs	Fiche technique	SI2392ADS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	126 mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	SI2392ADS-T1-GE3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	196pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.4nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.1A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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