SI3429EDV-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI3429EDV-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Livret des spécifications:	SI3429EDV-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	616036 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 616036 pcs

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Spécifications de SI3429EDV-T1-GE3

Modèle de produit	SI3429EDV-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	616036 pcs	Fiche technique	SI3429EDV-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-TSOP
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	4.2W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Autres noms	SI3429EDV-T1-GE3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4085pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 8A (Ta), 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta), 8A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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