SI4483ADY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI4483ADY-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
Livret des spécifications:	SI4483ADY-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	56601 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56601 pcs

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Spécifications de SI4483ADY-T1-GE3

Modèle de produit	SI4483ADY-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	56601 pcs	Fiche technique	SI4483ADY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.9W (Ta), 5.9W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	SI4483ADY-T1-GE3CT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3900pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	P-Channel 30V 19.2A (Tc) 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	19.2A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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