SI7772DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI7772DP-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Livret des spécifications:	SI7772DP-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	100599 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 100599 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de SI7772DP-T1-GE3

Modèle de produit	SI7772DP-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	100599 pcs	Fiche technique	SI7772DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerPAK® SO-8
Séries	SkyFET®, TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.9W (Ta), 29.8W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	PowerPAK® SO-8	Autres noms	SI7772DP-T1-GE3DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1084pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 35.6A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	35.6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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