SI7888DP-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI7888DP-T1-E3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Livret des spécifications:	SI7888DP-T1-E3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6574 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6574 pcs

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Spécifications de SI7888DP-T1-E3

Modèle de produit	SI7888DP-T1-E3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6574 pcs	Fiche technique	SI7888DP-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerPAK® SO-8
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 12.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	PowerPAK® SO-8	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9.4A (Ta)

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Après vente
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