SI8406DB-T2-E1

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI8406DB-T2-E1
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
Livret des spécifications:	SI8406DB-T2-E1.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	376786 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 376786 pcs

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Spécifications de SI8406DB-T2-E1

Modèle de produit	SI8406DB-T2-E1	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	376786 pcs	Fiche technique	SI8406DB-T2-E1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	2.77W (Ta), 13W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-UFBGA	Autres noms	SI8406DB-T2-E1TR SI8406DBT2E1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 8V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	N-Channel 20V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	16A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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