SI8900EDB-T2-E1

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI8900EDB-T2-E1
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Livret des spécifications:	SI8900EDB-T2-E1.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	56495 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56495 pcs

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Spécifications de SI8900EDB-T2-E1

Modèle de produit	SI8900EDB-T2-E1	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	56495 pcs	Fiche technique	SI8900EDB-T2-E1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1.1mA	Package composant fournisseur	10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Puissance - Max	1W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	10-UFBGA, CSPBGA	Autres noms	SI8900EDB-T2-E1TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.4A	Numéro de pièce de base	SI8900

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Après vente
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