SI9410BDY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI9410BDY-T1-E3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Livret des spécifications:	SI9410BDY-T1-E3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6600 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6600 pcs

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Spécifications de SI9410BDY-T1-E3

Modèle de produit	SI9410BDY-T1-E3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6600 pcs	Fiche technique	SI9410BDY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 8.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.5W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	SI9410BDY-T1-E3CT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 6.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.2A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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