SIDR392DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIDR392DP-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CHAN 30V
Livret des spécifications:	1.SIDR392DP-T1-GE3.pdf 2.SIDR392DP-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	68874 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68874 pcs

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Spécifications de SIDR392DP-T1-GE3

Modèle de produit	SIDR392DP-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CHAN 30V	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	68874 pcs	Fiche technique	1.SIDR392DP-T1-GE3.pdf 2.SIDR392DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	+20V, -16V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerPAK® SO-8DC
Séries	TrenchFET® Gen IV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.62 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	PowerPAK® SO-8	Autres noms	SIDR392DP-T1-GE3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9530pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 82A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	82A (Ta), 100A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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