SIHB6N65E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIHB6N65E-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Livret des spécifications:	SIHB6N65E-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	103247 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 103247 pcs

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Spécifications de SIHB6N65E-GE3

Modèle de produit	SIHB6N65E-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	103247 pcs	Fiche technique	SIHB6N65E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK (TO-263)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	78W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	SIHB6N65E-GE3-ND SIHB6N65E-GE3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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