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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Modèle de produit | SIR484DP-T1-GE3 | Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 256709 pcs | Fiche technique | SIR484DP-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 17.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 | Autres noms | SIR484DP-T1-GE3-ND SIR484DP-T1-GE3TR SIR484DPT1GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
