SIR882ADP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIR882ADP-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Livret des spécifications:	SIR882ADP-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	31941 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31941 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.043

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Spécifications de SIR882ADP-T1-GE3

Modèle de produit	SIR882ADP-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	31941 pcs	Fiche technique	SIR882ADP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerPAK® SO-8
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	5.4W (Ta), 83W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	PowerPAK® SO-8	Autres noms	SIR882ADP-T1-GE3CT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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