SIS406DN-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIS406DN-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
Livret des spécifications:	SIS406DN-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	300061 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 300061 pcs

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Spécifications de SIS406DN-T1-GE3

Modèle de produit	SIS406DN-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	300061 pcs	Fiche technique	SIS406DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.5W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	PowerPAK® 1212-8	Autres noms	SIS406DN-T1-GE3TR SIS406DNT1GE3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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