SISS04DN-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

L'image peut être une représentation. Voir les spécifications pour les détails du produit.

Présentation du produit

Modèle de produit:	SISS04DN-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Livret des spécifications:	SISS04DN-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	57408 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57408 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.65

10 pcs: $0.575

100 pcs: $0.454

500 pcs: $0.352

1000 pcs: $0.278

Demander une offre en ligne: Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur " SOUMETTRE la demande de devis ". Nous vous contacterons sous peu par courrier électronique. Ou écrivez-nous:Info@infinity-electronic.com

Prix cible:(USD)
Qté:

Total:$0.65

S'il vous plaît nous donner votre prix cible si des quantités supérieures à celles affichées.

Modèle de produit
Raison sociale
Nom du contact
Email
Message

Spécifications de SISS04DN-T1-GE3

Modèle de produit	SISS04DN-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	57408 pcs	Fiche technique	SISS04DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	+16V, -12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerPAK® 1212-8S
Séries	TrenchFET® Gen IV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)	5W (Ta), 65.7W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	PowerPAK® 1212-8S	Autres noms	SISS04DN-T1-GE3CT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4460pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 50.5A (Ta), 80A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	50.5A (Ta), 80A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

★ Le délai de livraison nécessitera 2 à 4 jours pour la plupart des pays du monde entier par DHL / UPS / FEDEX / TNT.

N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur l'envoi. Envoyez-nous un email Info@infinity-electronic.com

GARANTIE APRÈS-VENTE

Chaque produit de Infinity-Semiconductor.com bénéficie d’une période de garantie d’un an. Pendant cette période, nous pouvons fournir une maintenance technique gratuite en cas de problème concernant nos produits.
Si vous rencontrez des problèmes de qualité concernant nos produits après les avoir reçus, vous pouvez les tester et demander un remboursement inconditionnel s’il est prouvé.
Si les produits sont défectueux ou s'ils ne fonctionnent pas, vous pouvez nous le retourner dans un délai d'un an. Tous les frais de transport et de douane de la marchandise sont à notre charge.

Produits connexes

: SISS12DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-; En stock: 62437 pcs; Télécharger: SISS12DN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISH410DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH; En stock: 194214 pcs; Télécharger: SISH410DN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISNAP915EK; Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs); La description: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA; En stock: 5631 pcs; Télécharger: SISNAP915EK.pdf; RFQ

: SISNAP915DK; Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs); La description: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT; En stock: 4187 pcs; Télécharger: SISNAP915DK.pdf; RFQ

: SISS27DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S; En stock: 287008 pcs; Télécharger: SISS27DN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISS26DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S; En stock: 138237 pcs; Télécharger: SISS26DN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISS23DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S; En stock: 95077 pcs; Télécharger: SISS23DN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISS10DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S; En stock: 224391 pcs; Télécharger: SISS10DN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISS27ADN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212; En stock: 73465 pcs; Télécharger: SISS27ADN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISH617DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-; En stock: 211651 pcs; Télécharger: SISH617DN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISS02DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-; En stock: 154842 pcs; Télécharger: SISS02DN-T1-GE3.pdf; RFQ

: SISH434DN-T1-GE3; Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay; La description: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH; En stock: 61252 pcs; Télécharger: SISH434DN-T1-GE3.pdf; RFQ

Nouvelles de l'industrie

Rohm ajoute 10 mosfets SiC automobiles: «L’introduction de la série SCT3xxxxxxHR permet à Rohm d’offrir la plus grande gamme de mosfets...

ON ajoute aux MOSFET SiC: ON Semiconductor a introduit deux MOSFET SiC destinés aux applications VE, solaires et UPS. Les NVH...

APEC: TI pense latéralement à fabriquer une puce ca-cc avec une puissance de secours de 15 mW: «Cet appareil réalise le meilleur équilibre entre efficacité élevée et bruit extrêmement faib...

Contenu sponsorisé: Analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X: L'analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X est un outil très puissant et flexible pour diverses mesure...

Les dépenses en équipements de demi-fabrication devraient diminuer de 14% cette année et augmenter de 27% l’année prochaine: Stimulé par un ralentissement du secteur de la mémoire, le ralentissement économique de 2019 marq...

Power Stamp Alliance réduit la nécessité pour le processeur hôte de surveiller les unités d'alimentation et ajoute une conception de référence: L’Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Solutions Bel Power, Flex et STMicroelectronics) a cré...

APEC: puissance SiC et outils électriques améliorés basés sur le cloud: Les capacités de recherche ont été améliorées et un menu de style carrousel permet de sélectio...

Dengrove ajoute des convertisseurs CC / CC de Recom à encombrement réduit: Ils sont conçus pour des applications nécessitant une densité de puissance élevée, un rendement...

Premier processeur Arm militaire qualifié pour les applications haute fidélité: LS1046A fait partie du portefeuille Arm Layerscape 64 bits de NXP, avec un bras Cortex-A72 quad-core...

Choisissez votre pays ou région.