SIZ900DT-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIZ900DT-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Livret des spécifications:	SIZ900DT-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	45623 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45623 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.731

10 pcs: $0.661

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Spécifications de SIZ900DT-T1-GE3

Modèle de produit	SIZ900DT-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	45623 pcs	Fiche technique	SIZ900DT-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Package composant fournisseur	6-PowerPair™
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Puissance - Max	48W, 100W	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	6-PowerPair™	Autres noms	SIZ900DT-T1-GE3CT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	24A, 28A	Numéro de pièce de base	SIZ900

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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