Electro-Films (EFI) / Vishay| Modèle de produit | SQ3460EV-T1_GE3 | Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 206915 pcs | Fiche technique | SQ3460EV-T1_GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 6-TSOP |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Autres noms | SQ3460EV-T1-GE3 SQ3460EV-T1-GE3TR SQ3460EV-T1-GE3TR-ND SQ3460EV-T1_GE3TR SQ3460EVT1GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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