SQ9407EY-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SQ9407EY-T1_GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Livret des spécifications:	SQ9407EY-T1_GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	216666 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 216666 pcs

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Spécifications de SQ9407EY-T1_GE3

Modèle de produit	SQ9407EY-T1_GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	216666 pcs	Fiche technique	SQ9407EY-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.75W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	SQ9407EY-T1_GE3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TA)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 30V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	P-Channel 60V 4.6A (Tc) 3.75W (Tc) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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