SQD19P06-60L_T4GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SQD19P06-60L_T4GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
Livret des spécifications:	SQD19P06-60L_T4GE3.pdf
Etat du stock	134108 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de SQD19P06-60L_T4GE3

Modèle de produit	SQD19P06-60L_T4GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	134108 pcs	Fiche technique	SQD19P06-60L_T4GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-252AA
Séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max)	46W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1490pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	P-Channel 60V 20A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)

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Après vente
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