SQD50N04-09H-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SQD50N04-09H-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Livret des spécifications:	SQD50N04-09H-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6798 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6798 pcs

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Spécifications de SQD50N04-09H-GE3

Modèle de produit	SQD50N04-09H-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 40V 50A TO252	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6798 pcs	Fiche technique	SQD50N04-09H-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	SQD50N04-09H-GE3DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4240pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	76nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	40V
Description détaillée	N-Channel 40V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	50A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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