SQP120N10-09_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SQP120N10-09_GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Livret des spécifications:	SQP120N10-09_GE3.pdf
Etat du stock	54515 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de SQP120N10-09_GE3

Modèle de produit	SQP120N10-09_GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	54515 pcs	Fiche technique	SQP120N10-09_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)	375W (Tc)	Package / Boîte	TO-220-3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8645pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)

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Après vente
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