SQS850EN-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SQS850EN-T1_GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
Livret des spécifications:	SQS850EN-T1_GE3.pdf
Etat du stock	223098 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 223098 pcs

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Spécifications de SQS850EN-T1_GE3

Modèle de produit	SQS850EN-T1_GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	223098 pcs	Fiche technique	SQS850EN-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	21.5 mOhm @ 6.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)	33W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	PowerPAK® 1212-8	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2021pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

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Après vente
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