SQV120N10-3M8_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SQV120N10-3M8_GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Livret des spécifications:	SQV120N10-3M8_GE3.pdf
Etat du stock	51602 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51602 pcs

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Spécifications de SQV120N10-3M8_GE3

Modèle de produit	SQV120N10-3M8_GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	51602 pcs	Fiche technique	SQV120N10-3M8_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-262-3
Séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7230pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)

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Après vente
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