SUG80050E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SUG80050E-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Livret des spécifications:	SUG80050E-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	16797 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16797 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.093

10 pcs: $1.867

100 pcs: $1.531

500 pcs: $1.24

1000 pcs: $1.046

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Spécifications de SUG80050E-GE3

Modèle de produit	SUG80050E-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	16797 pcs	Fiche technique	SUG80050E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247AC
Séries	ThunderFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	500W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	SUG80050E-GE3CT SUG80050E-GE3CT-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6250pF @ 75V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	7.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	150V
Description détaillée	N-Channel 150V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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