FDB3682

Fairchild/ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDB3682
Fabricant / marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB
Livret des spécifications:	FDB3682.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	110400 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 110400 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

800 pcs: $0.294

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2400 pcs: $0.217

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Spécifications de FDB3682

Modèle de produit	FDB3682	Fabricant	Fairchild/ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	110400 pcs	Fiche technique	FDB3682.pdf
Tension - Test	1250pF @ 25V	Tension - Ventilation	D²PAK (TO-263AB)
Vgs (th) (Max) @ Id	36 mOhm @ 32A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	PowerTrench®
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6A (Ta), 32A (Tc)
Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	FDB3682-ND FDB3682FSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	FDB3682
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	28nC @ 10V	type de IGBT	±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 100V 6A (Ta), 32A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100V
Ratio de capacité	95W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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