HUF76407D3ST

Fairchild/ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HUF76407D3ST
Fabricant / marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Livret des spécifications:	HUF76407D3ST.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	318050 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 318050 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

2500 pcs: $0.106

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Spécifications de HUF76407D3ST

Modèle de produit	HUF76407D3ST	Fabricant	Fairchild/ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	318050 pcs	Fiche technique	HUF76407D3ST.pdf
Tension - Test	350pF @ 25V	Tension - Ventilation	TO-252AA
Vgs (th) (Max) @ Id	92 mOhm @ 13A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	UltraFET™
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12A (Tc)
Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	HUF76407D3ST-ND HUF76407D3STFSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	HUF76407D3ST
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11.3nC @ 10V	type de IGBT	±16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3V @ 250µA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 60V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60V
Ratio de capacité	38W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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