1N1186R

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N1186R
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5
Livret des spécifications:	1.1N1186R.pdf 2.1N1186R.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	19949 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19949 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

100 pcs: $1.643

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Spécifications de 1N1186R

Modèle de produit	1N1186R	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	19949 pcs	Fiche technique	1.1N1186R.pdf 2.1N1186R.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard, Reverse Polarity	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	35A
Tension - Ventilation	DO-5	Séries	-
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms	1242-1203 1N1186RGN 1N1186RGN-ND	Type de montage	Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	1N1186R
Description élargie	Diode Standard, Reverse Polarity 200V 35A Chassis, Stud Mount DO-5	Configuration diode	10µA @ 50V
La description	DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5	Courant - fuite, inverse à Vr	1.2V @ 35A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	200V	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 190°C

Mode de transport
Après vente
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