1N8034-GA

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N8034-GA
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
Livret des spécifications:	1N8034-GA.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	474 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 474 pcs

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Spécifications de 1N8034-GA

Modèle de produit	1N8034-GA	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	474 pcs	Fiche technique	1N8034-GA.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Silicon Carbide Schottky	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	9.4A (DC)
Tension - Ventilation	TO-257	Séries	-
État RoHS	Tube	Temps de recouvrement inverse (trr)	No Recovery Time > 500mA (Io)
Résistance @ Si, F	1107pF @ 1V, 1MHz	Polarisation	TO-257-3
Autres noms	1242-1121 1N8034GA	Température d'utilisation - Jonction	0ns
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	1N8034-GA	Description élargie	Diode Silicon Carbide Schottky 650V 9.4A (DC) Through Hole TO-257
Configuration diode	5µA @ 650V	La description	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
Courant - fuite, inverse à Vr	1.34V @ 10A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	650V
Capacité à Vr, F	-55°C ~ 250°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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