DB106G

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DB106G
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	DIODE BRIDGE 800V 1A DB
Livret des spécifications:	1.DB106G.pdf 2.DB106G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	372648 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 372648 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de DB106G

Modèle de produit	DB106G	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE BRIDGE 800V 1A DB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	372648 pcs	Fiche technique	1.DB106G.pdf 2.DB106G.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	800V	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.1V @ 1A
La technologie	Standard	Package composant fournisseur	DB
Séries	-	Emballage	Bulk
Package / Boîte	4-EDIP (0.321", 8.15mm)	Autres noms	DB106GGN
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Single Phase	Description détaillée	Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole DB
Courant - fuite, inverse à Vr	10µA @ 800V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	1A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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