GA05JT12-263

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	GA05JT12-263
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	TRANS SJT 1200V 15A
Livret des spécifications:	GA05JT12-263.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6632 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6632 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.636

10 pcs: $4.171

50 pcs: $3.801

100 pcs: $3.43

250 pcs: $3.152

500 pcs: $2.874

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Spécifications de GA05JT12-263

Modèle de produit	GA05JT12-263	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	TRANS SJT 1200V 15A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6632 pcs	Fiche technique	GA05JT12-263.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	-
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	Package composant fournisseur	D2PAK (7-Lead)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Dissipation de puissance (max)	106W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Autres noms	1242-1184 GA05JT12-220ISO GA05JT12220ISO
Température de fonctionnement	175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
type de FET	-	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	-	Tension drain-source (Vdss)	1200V
Description détaillée	1200V 15A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	15A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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