| Modèle de produit | GA20JT12-263 | Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS SJT 1200V 45A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 1996 pcs | Fiche technique | GA20JT12-263.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | Vgs (Max) | - |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | Package composant fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 20A |
| Dissipation de puissance (max) | 282W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Autres noms | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3091pF @ 800V | type de FET | - |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200V | Description détaillée | 1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 45A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
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