GAP3SLT33-220FP

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	GAP3SLT33-220FP
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
Livret des spécifications:	GAP3SLT33-220FP.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4831 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4831 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $6.206

10 pcs: $5.642

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Spécifications de GAP3SLT33-220FP

Modèle de produit	GAP3SLT33-220FP	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4831 pcs	Fiche technique	GAP3SLT33-220FP.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.7V @ 300mA	Tension - inverse (Vr) (max)	3300V
Package composant fournisseur	TO-220FP	La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	0ns
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-220-2 Full Pack
Autres noms	1242-1183 GAP3SLT33220FP	Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 175°C
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Description détaillée	Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP	Courant - fuite, inverse à Vr	5µA @ 3300V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	300mA	Capacité à Vr, F	42pF @ 1V, 1MHz
Numéro de pièce de base	GAP3SLT33

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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