GBPC35010T

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	GBPC35010T
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W
Livret des spécifications:	1.GBPC35010T.pdf 2.GBPC35010T.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	38965 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38965 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de GBPC35010T

Modèle de produit	GBPC35010T	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	38965 pcs	Fiche technique	1.GBPC35010T.pdf 2.GBPC35010T.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	1kV	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.1V @ 17.5A
La technologie	Standard	Package composant fournisseur	GBPC
Séries	-	Emballage	Bulk
Package / Boîte	4-Square, GBPC	Autres noms	GBPC35010T/WGN GBPC35010T/WGN-ND GBPC35010TGN GBPC35010TW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	QC Terminal
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Single Phase	Description détaillée	Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV QC Terminal GBPC
Courant - fuite, inverse à Vr	5µA @ 1000V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	35A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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